Spēja samazināt pamatojoties uz silīcija tranzistori līdzekļa izmēri ir ļāvusi pusvadītāju rūpniecībā palielināt veiktspēju, palielinātu ātrumu un samazināt cenu integrālās pēdējo 55 gadu laikā. Vēlu 1960 Gordon Moore paredzams, integrālās shēmas tranzistors blīvums būtu divreiz lielākas ik pēc 18 mēnešiem (Mūra likums). Līdz šim pusvadītāju rūpniecībā ir spējusi sekot Mūra likums, palielinot izšķirtspēju atribūti, fotolitogrāfijā rīki. a fotolitogrāfijā rīks ir optiskā sistēma, kas projektos, tēlu masku (pārstāv slāņa integrālās shēmas) uz vafeļu, kas ir pārklāts ar gaismu konfidenciāliem materiāliem (pretoties). Pēc iedarbības, pretoties ir izstrādājusi atklāt modelis, kas tiek nodota vafeļu virsmas ar kodināšanas metodes. Semiconductor analītiķi ir theorized 2010 fotolitogrāfijā rīki 157 nm gaismas avoti būs pieeja to teorētisko rezolūciju limits (120 nm).