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National Semiconductor Corporation
Industry: Semiconductors
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Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
各回路要素は完全に拡散した他のすべての要素から要素を分離する酸化障壁によって囲まれた半導体製造プロセス。
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サイコロ ボンディング電気などのパッケージにまたはハイブリッド基材に金型のアセンブリの前にテストできるように、テープ上のリード フレームの接点を各ダイスのボンディング パッドによって柔軟なリボン テープのマウント。
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P チャネルと N チャネル デバイスは同じダイ上に作製した MOS 技術。
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与えられた材料が展開または温度変化として収縮率の ( C または ppm/° C) で測定。熱膨張率の異なる 2 つの材料が結合される膨張または収縮はそれらの間の結合インタ フェースを負担します。接合部に継続的なろ過分離される可能性があります。
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(で定義されてメソッド 5008 MIL-STD-883) 2 インチ以上の内側のシール境界 (つまり、キャビティの境界) を有するハイブリッド。
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別の上に 1 つのバンドの単本位接合の雑種
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ベンダー通知、調達や製品の製造またはテストの変更の活動を予選の要件。場合によっては、要件の変更の実装を変更の正式な承認の後までの遅延が含まれます。
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連絡先自体の表面に、パッシベーションの表面からドロップ。
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回路素子との接触をデバイス メタライゼーションがにより表面パッシベーションの開口部。
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テストするために短い持続期間のための遠心分離機の G フォース (通常 30,000 G の) にデバイスの隷属 - ダイ ・ アタッチ、結合およびパッケージの整合性をリードします。
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